9. Juni 2026 – HANGZHOU – Die globale Halbleiterindustrie erlebt einen entscheidenden Wandel in der Rundwafer-Technologie (Rundwafer), da führende Akteure großformatige, hochreine Lösungen mit großer Bandlücke vorantreiben, um der boomenden Nachfrage nach KI-Chips, Elektrofahrzeugen (EVs) und Industrieelektronik gerecht zu werden. Diese Dynamik verändert Lieferketten, steigert die Kosteneffizienz und beschleunigt die inländische Substitution in Schlüsselmärkten.
300-mm-Rundwafer aus SiC und GaN gehen in die Massenproduktion
In einer bahnbrechenden Entwicklung kündigte Wolfspeed, ein weltweit führender Anbieter von Siliziumkarbid-Technologie (SiC), Anfang 2026 den weltweit ersten massenproduzierbaren runden 300-mm-(12-Zoll)-Einkristall-SiC-Wafer an. Der größere Durchmesser steigert die Chipausbeute um über 40 % im Vergleich zu herkömmlichen 200-mm-Wafern und senkt die Kosten pro Einheit für Hochleistungsgeräte, die in KI-Rechenzentren, EV-Antriebssträngen und Systemen für erneuerbare Energien verwendet werden, erheblich.
Parallele Fortschritte in der Galliumnitrid-Technologie (GaN) wurden von Toyota Gosei erzielt, das erfolgreich einen 8-Zoll (200 mm) großen GaN-Einkristall-Rundwafer für vertikale Transistoren entwickelt hat. Die Innovation ermöglicht Leistungsgeräte mit höherer Dichte für die 5G-Infrastruktur und Schnellladesysteme und begegnet damit den seit langem bestehenden Herausforderungen bei der Herstellung von GaN-Wafern mit großem Durchmesser über 4 Zoll.
Erweiterung des Siliziumwafer-Angebots und Preistrends
Globale Hersteller von Siliziumwafern erhöhen die 300-mm-Kapazität, um der KI-bedingten Nachfrage gerecht zu werden. GlobalWafers, ein wichtiger Zulieferer, erhöhte seine US-Investition auf **7,5 Milliarden US-Dollar**, um eine neue 300-mm-Fabrik in Texas zu starten – Amerikas erste seit 20 Jahren – unterstützt durch CHIPS-Act-Mittel in Höhe von 406 Millionen US-Dollar. Die Anlage strebt bis 2028 die Schaffung von mehr als 600 Arbeitsplätzen an und stärkt damit die Widerstandsfähigkeit der westlichen Lieferkette. Die Marktdynamik änderte sich im zweiten Quartal 2026, als große Anbieter Preiserhöhungen für 300-mm-Siliziumwafer um 5–8 % ankündigten und dabei knappe Kapazitäten, steigende Rohstoffkosten und eine starke Nachfrage von fortschrittlichen Knotengießereien anführten. Bei High-End-Wafern für KI- und Automobilanwendungen gab es sogar noch stärkere Zuwächse (18–22 %), was ein Angebotsdefizit widerspiegelt, das voraussichtlich bis 2027 anhalten wird.
Chinas Lokalisierungsziel von 70 % verändert die globale Landschaft
China hat sich das ehrgeizige Ziel gesetzt, bis Ende 2026 eine Inlandsversorgung mit runden 12-Zoll-Siliziumwafern von 28 % im Jahr 2025 auf 70 % zu erreichen. Dieser Vorstoß zielt darauf ab, die Abhängigkeit von japanischen (Shin-Etsu, SUMCO) und taiwanesischen Lieferanten zu verringern, die derzeit über 60 % der weltweiten Kapazität kontrollieren. Inländische Akteure wie Shanghai Simgui und JCET Group beschleunigen die 300-mm-Fabrik, unterstützt durch staatliche Subventionen und Partnerschaften mit Chipdesignern. Die Lokalisierungsbestrebungen erfolgen vor dem Hintergrund globaler Spannungen in der Lieferkette, die auf Beschränkungen für niederländische Exporte von Halbleiterausrüstung und die „50 %-Penetrationsregeln“ der USA zurückzuführen sind, die den chinesischen Zugang zu fortschrittlichen Materialien einschränken. Infolgedessen wird erwartet, dass Chinas Anteil an der weltweiten Waferproduktion im Jahr 2026 auf 32 % steigen wird, was der schnellsten Wachstumsrate weltweit entspricht.
Zukunftsaussichten: Größere Größen und alternative Formen
Branchenanalysten gehen davon aus, dass 300-mm-Wafer bis 2027 zum Mainstream für High-End-Anwendungen werden , während die Forschung und Entwicklung für 450-mm-Wafer für KI-Chips der nächsten Generation voranschreitet. Insbesondere Lam Research und Mitsubishi Materials erforschen quadratische Panels als Alternative zu runden Wafern für fortschrittliche Verpackungen, die eine um 20–30 % höhere Chipausnutzung und weniger Abfall bieten. Allerdings werden runde Wafer aufgrund der etablierten Gerätekompatibilität und der Prozessreife im Laufe des Jahrzehnts für die meisten Halbleiterfertigungen dominant bleiben.
Als Grundlage aller Halbleiterbauelemente sind runde Wafer für die globale Wettbewerbsfähigkeit der Technologie von entscheidender Bedeutung. Die Durchbrüche im Jahr 2026 bei großformatigen SiC/GaN-Wafern, die Ausweitung des Siliziumangebots und Chinas Lokalisierungsbemühungen führen insgesamt zu einem widerstandsfähigeren, effizienteren und innovativeren Halbleiter-Ökosystem weltweit.